ES01快速攝譜式自動變角度光譜橢偏儀
產品摘要
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ES01系列光譜橢偏儀用于測量單層和多層納米薄膜的層構參數(如,厚度)和物理參數(如,折射率n、消光系數k),也可用于測量塊狀材料的折射率n和消光系數k。
ES01系列光譜橢偏儀適合于對樣品進行實時和非實時檢測。
采樣方法、高穩定的核心器件、高質量的設計和制造工藝實現并保證了能夠測量原子層量的納米薄膜,膜厚精度達到0.05nm。
快速橢偏采樣方法、高信噪比的信號探測、自動化的測量軟件,在保證高精度和準確度的同時,10秒內快速完成一次全光譜橢偏測量。
對于常規操作,只需鼠標點擊一個按鈕即可完成復雜的測量、建模、擬合和分析過程,豐富的模型庫和材料庫也同時方便了用戶的高操作需求。
ES01系列尤其適合于科研和工業產品環境中的新品研發。
ES01系列多種光譜范圍可滿足不同應用場合。比如:
ES01系列可用于測量光面基底上的單層和多層納米薄膜的厚度、折射率n及消光系數k。應用領域包括:微電子、半導體、集成電路、顯示技術、太陽電池、光學薄膜、生命科學、化學、電化學、磁介質存儲、平板顯示、聚合物及金屬表面處理等。典型應用如:
ES01系列也可用于測量塊狀材料的折射率n和消光系數k。應用領域包括:固體(金屬、半導體、介質等),或液體(純凈物或混合物)。典型應用包括:
項目 |
技術指標 |
光譜范圍 |
ES01V:370-990nm ES01U:245-990nm |
光譜分辨率 |
1.5nm |
單次測量時間 |
典型10s,取決于測量模式 |
準確度 |
δ(Psi): 0.02 ° ,δ(Delta): 0.04° (透射模式測空氣時) |
膜厚測量重復性(1) |
0.05nm (對于平面Si基底上99nm的SiO2膜層) |
折射率精度(1) |
1x10-3(對于平面Si基底上99nm的SiO2膜層) |
入射角度 |
40°-90°自動調節,重復性0.02° |
光學結構 |
PSCA(Δ在0°或180°附近時也具有的準確度) |
樣品臺尺寸 |
可放置樣品尺寸:直徑170 mm |
樣品方位調整 |
高度調節范圍:0-10mm |
二維俯仰調節:±4° |
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樣品對準 |
光學自準直顯微和望遠對準系統 |
軟件 |
•多語言界面切換 |
•預設項目供快捷操作使用 |
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•安全的權限管理模式(管理員、操作員) |
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•方便的材料數據庫以及多種色散模型庫 |
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•豐富的模型數據庫 |
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選配件 |
自動掃描樣品臺 聚焦透鏡 |
注:(1)測量重復性:是指對標準樣品上同一點、同一條件下連續測量30次所計算的標準差。
NFS-SiO2/Si二氧化硅納米薄膜標片